假如微尘是导致金属线的缩小时，则会有电子迁移（Electron Emigration）现象；若微尘是在扩散区域，则会造成电阻的增加，则微尘可能造成短路或开路。
一般而言，光罩上之随机缺陷（Aandom Defect）有一半是类似上述之情况，为导致芯片制作良率降低之主要原因。
假日微尘是直接沾在夕芯片上，其虽然有程度上之不同，但造成之损伤是一样的。尤其在磊芯片之成长，不管多少颗粒，都会造成影响单晶的成长。至于微尘粒子在制造过程中系在那一阶段上以及在制品之那一个位置附着，和何种粒子之附着，是相当复杂且不一致，以超大规模集成电路而言，造成缺陷之因素比较值。
随着VLSI及ULSI记忆单元之增加，精细照像技术如电子束（E-Beam）或X射线（X-R·ay）等解决了光学照像的绕射现象难题，使分辨率及线宽进入微米（Sumicron）的领域。
DRAM产品也已逐渐向4M、16M及64M、256M等领域迈进。一般而言，1/10线宽的微粒子即会造成制程缺陷上的问题，此十分之一线宽之粒子几时我们必须加以控制之微尘粒子。
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